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集电结反偏(Collector Reverse Bias)是指在晶体管中将集电极偏若干伏特负压,使其与基极被隔离,从而使晶体管失效的一种情形。这种情形通常用于晶体管的保护或测试。

源:集电结反偏是电子学中晶体管的一种职业情形,是由于晶体管的职业原理所决定的。

文例句:

The collector reverse bias is used to protect the transistor from damage during testing.”
(集电结反偏用于在测试中保护晶体管免受损坏。)

To achieve collector reverse bias, the voltage applied to the collector must be negative relative to the base.”
(要实现集电结反偏,必须将施加到集电极的电压与基极相比负压。)

The collector reverse bias is an important parameter in transistor circuit design.”
(集电结反偏是晶体管电路设计中的一个重要参数。)

文翻译:

将集电极偏若干伏特负压,使其与基极被隔离,从而使晶体管失效的一种情形。”

要实现集电结反偏,必须将施加到集电极的电压与基极相比负压。”

集电结反偏是晶体管电路设计中的一个重要参数。”

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